3纳米将成台积电与三星下个重要决胜工艺锁边机

2018年下半，阳泉包括GlobalFoundries、联电、中芯国际等主要全球晶圆代工厂相继宣布退出10纳米及其以下先进工艺研发竞赛行列，相较之下，台积电与Samsung Foundry(以下简称三星)不仅将7纳米工艺先后导入量产，由二家公司技术蓝图比较，未来朝5纳米与3纳米工艺前进，DIGITIMES Research预估，3纳米将成台积电与三星下个重要决胜工艺。

台积电认为在人工智能(AI)与5G带动下，将驱动包括云浮Mobile、HPC、IoT、Automotive等四大技术平台持续成长，这也将成为未来台积电营收年成长5~10%的重要动能。为在这四大技术平台取得优势，台积电除规划将Mobile、HPC、Automotive核心运算芯片工艺往16FFC/12FFC、N7/N7+，乃至2020年上半才导入量产的5纳米工艺集中，更将各工艺加以优化，创造出多个平台，并协助客户升级，一方面满足客户需求，另一方面则是设下技术障碍，让竞争者难以进入。

除依循摩尔定律，持续在微缩工艺技术投入研发外，三星亦在全空乏绝缘配料秤上覆硅(Fully Depleted Silicon On Insulator；FD-SOI)工艺多所着墨。三星规划于2020年推出18纳米FD-SOI工艺的18FDS+RF/eMRAM整合平台，目标锁定以超低功耗与及时上市(time to market)为产品诉求的IoT与MCU市场，包括GlobalFoundries、联电、中芯国际等晶圆代工厂于这些市场竞争将面临许多挑战。